DH15IB InP HBT工艺技术是一款发射极长为1.5μm的耗尽型HBT工艺；该工艺当前推出试用版，适用于C波段到V波段的VCO和混频器设计与生产。
DH15IB InP HBT工艺产品：
l 高速接口芯片；
l TIA芯片；
l 驱动芯片；
l 极低相噪振荡芯片；
l 混频器。
DH15IB工艺射频/直流特性
l 击穿电压：Vce=6V；
l 截止频率：Ft=180GHz；
l 最高频率：Fmax=220GHz；
技术支持：(+86)028-61962718
Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz！
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