D01MH工艺技术自2010年规模商用，是一款125nm的mHEMT工艺；OMMIC采用该工艺制备频率最高达90GHz的超低噪声放大器产品。

D01MH工艺技术已通过欧洲宇航局航天级认证，并被列入欧洲宇航局首选器件清单（EPPL）。

D01MH工艺射频/直流特性

l击穿电压：Vbgd=8V（典型值）；

l开启电压：Vt=-0.9V；

l 截止频率：Ft=150GHz；

l最高频率：Fmax=250GHz；

l噪声系数：NFmin=0.8dB@30GHz；

l增益：11.5dB@30GHz；

l全局钝化处理

——外延电阻；

——镍铬电阻；

——MIM电容（400pf/mm²和49pf/mm²）；

——螺旋电感；

——空气桥；

——通孔；

——微凸台；

——全局钝化芯片：覆盖150nm氮化硅；

——芯片标准厚度100μm（如果有特殊要求，70μm厚度可选）；

——厚金属层可选，用于优化芯片噪声性能。